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Dispositivos de semicondutor discretos
| Imagem | parte # | Descrição | fabricante | Resíduos | RFQ | |
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![qualidade [#varpname#] fábrica](/images/load_icon.gif){kind=icon}
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IGT2731M130 |
GAN, TRANSISTOR DE PODER de RF, banda S
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Em existência
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MRFE6VP6300HR5 |
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4
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Em existência
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DTA044EMT2L |
Trans PREBIAS PNP 50 VMT3
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Em existência
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BLF8G27LS-100J |
FET LDMOS 65V 17DB SOT502B do RF
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Em existência
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UNR211000L |
TRANSPORTE PREBIAS PNP 200MW MINI3
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Em existência
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BLF8G22LS-205VJ |
FET LDMOS 65V 18.3DB SOT1239B do RF
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Em existência
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DTA114TU3HZGT106 |
DTA114TU3HZG é um TRANS digital
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Em existência
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MRF140 |
FET RF 65V 150 MHz 211-11
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Em existência
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RN2424 ((TE85L,F) |
TRANS PREBIAS PNP 50V 0,8A SMINI
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Em existência
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PDTA143EQAZ |
TRANS PREBIAS PNP 3DFN
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Em existência
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PTFA080551F-V4-R250 |
IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2
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Em existência
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BF1217WR,115 |
MOSFET N-CH DUAL SOT343R
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Em existência
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RN2105MFV,L3XHF(CT |
Auto AEC-Q PNP Q1BSR=2.2K, Q1BER
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Em existência
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BLF8G09LS-400PGWQ |
MOSFET RF LDMOS DL 28V CDFM8
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Em existência
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FJN4307RBU |
TRANS PREBIAS PNP 300 MW TO92-3
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Em existência
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MRF6S27015NR1 |
FET RF 68V 2,6 GHz TO270-2
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Em existência
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NSBA115TF3T5G |
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
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Em existência
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MRF1K50NR5 |
PODER WIDEBAND LDMOS TRANSIST DO RF
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Em existência
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DDTD122LC-7-F |
TRANS PREBIAS NPN 200 MW SOT23-3
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Em existência
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MRF6V14300HSR3 |
FET RF 100V 1,4 GHz NI780S
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Em existência
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DDTA114TUA-7 |
TRANS PREBIAS PNP 200 MW SOT323
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Em existência
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BF2040E6814HTSA1 |
MOSFET RF N-CH 5V SOT143-4
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Em existência
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BCR164L3 E6327 |
TRANS PREBIAS PNP 250 MW TSLP-3
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Em existência
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PTVA127002EV-V1-R0 |
IC AMP RF LDMOS H-36275-4
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Em existência
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DDTD113ZC-7-F |
TRANS PREBIAS NPN 200 MW SOT23-3
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Em existência
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PDTD114ETVL |
TRANS PREBIAS NPN 0,425 W
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Em existência
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MAGX-000035-010000 |
Transistor GAN 10WCW 0,03 a 3,5 GHz
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Em existência
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MMRF1304LR5 |
FET RF 133V 512MHZ NI-360
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Em existência
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DRA2123Y0L |
TRANSPORTE PREBIAS PNP 200MW MINI3
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Em existência
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ARF440 |
PWR MOSFET RF N-CH 150V a 247AD
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Em existência
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DRA9115T0L |
TRANS PREBIAS PNP 125 MW SSMINI3
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Em existência
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NPT1007B |
TRANSISTOR GAN DC-1200MHZ 200W
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Em existência
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DDTA142TE-7 |
TRANS PREBIAS PNP 150 MW SOT523
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Em existência
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BLC9G27LS-151AVZ |
FET LDMOS 65V 15.6DB SOT12583 do RF
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Em existência
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BCR139L3 E6327 |
TRANS PREBIAS NPN 250 MW TSLP-3
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Em existência
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BLC9G20LS-120VTZ |
MOSFET RF LDMOS 28V SOT1271-2
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Em existência
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UNR421200A |
TRANS PREBIAS NPN 300 MW NS-B1
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Em existência
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2N5484 |
JFET N-CH 25V 5MA TO92
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Em existência
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PDTC143ZU-QX |
A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades da unidade de produção deve ser alterado em c
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Em existência
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AFV121KGSR5 |
TRANSPORTE RF LDMOS DE IC
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Em existência
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FJN3302RBU |
TRANS PREBIAS NPN 300 MW TO92-3
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Em existência
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BF1101WR,115 |
MOSFET N-CH 7V SOT343R DUPLO
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Em existência
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DDTC113TE-7 |
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
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Em existência
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ADTC143ZUAQ-13 |
PrebiastransistorSOT323
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Em existência
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ARF1500 |
MOSFET RF N-CH 500V 60A T1
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Em existência
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ARF475FL |
MOSFET 500V 10A do RF PWR
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Em existência
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DDTC123YUA-7-F |
TRANS PREBIAS NPN 200 MW SOT323
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Em existência
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MRF177 |
FET RF 2CH 65V 400MHZ 744A-01
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Em existência
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DTA113ZCA-TP |
Interface
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Em existência
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BLF6G20S-230PRN: 11 |
TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539B
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Em existência
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