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Dispositivos de semicondutor discretos
| Imagem | parte # | Descrição | fabricante | Resíduos | RFQ | |
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![qualidade [#varpname#] fábrica](/images/load_icon.gif){kind=icon}
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BLF13H9L750PU |
BLF13H9L750P/SOT539/TRAY
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Em existência
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A AFT18HW355SR6 |
FET RF 2CH 65V 1,88 GHz NI1230S-4
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Em existência
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RN2103, LXHF(CT |
Auto AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM,
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Em existência
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MRFE6S9135HR5 |
FET RF 66V 940MHZ NI-880
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Em existência
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RN1116MFV,L3F |
Trans Prebias NPN 50V 0,1A VESM
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Em existência
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2N3819_D27Z |
JFET N-CH 25V 50MA TO92
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Em existência
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PDTB123EQAZ |
TRANS PREBIAS PNP 3DFN
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Em existência
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BLF6G27-75.112 |
FET LDMOS 65V SOT502A do RF
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Em existência
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DTA114TE-TP |
TRANS PREBIAS PNP 150 MW SOT523
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Em existência
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PTFB191501EV1XWSA1 |
FET RF LDMOS 150W H36248-2
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Em existência
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NSVDTA143ZET1G |
TRANS PNP 50 V BIPOLAR SC75-3
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Em existência
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ON5274,115 |
MOSFET RF SOT223 SC-73
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Em existência
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PDTA144VS,126 |
TRANS PREBIAS PNP 500 MW TO92-3
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Em existência
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UNR511E00L |
TRANS PREBIAS PNP 150 MW SMINI3
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Em existência
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LET9060F |
MOSFET N-CH 80V 12 A M. - 250
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Em existência
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MMUN2238LT1G |
Trans Prebias NPN 50V SOT23-3
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Em existência
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0912GN-300V |
TRAN, GAN, 960-1215 MHZ, 300W, 5
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Em existência
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PD20015S-E |
FET POWERSO-10RF DO TRANSPORTE RF N-CH
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Em existência
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PDTC143ZU-QAX |
A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades da unidade de produção deve ser alterado em c
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Em existência
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BCR503 B6327 |
TRANS PREBIAS NPN 300 MW SOT23-3
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Em existência
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MRF6V12250HSR5 |
FET RF 100V 1,03 GHz NI-780S
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Em existência
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AFT09MP055GNR1 |
FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270
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Em existência
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DTB523YMT2L |
TRANS PREBIAS PNP 150 MW VMT3
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Em existência
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PD55008STR-E |
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10
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Em existência
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DDTA143TE-7-F |
TRANS PREBIAS PNP 150 MW SOT523
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Em existência
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DTA013ZUBTL |
TRANS PREBIAS PNP 0.2W SC85
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Em existência
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BLC8G27LS-100AVZ |
FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751 do RF
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Em existência
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MMRF1018NBR1 |
FET RF 120V 860 MHz
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Em existência
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DTC143EET1G |
Trans Prebias NPN 50V 100MA SC75
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Em existência
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MRF8P20140WHSR3 |
FET RF 2CH 65V 1,91 GHz NI780S-4
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Em existência
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UNR92A6G0L |
TRANS PREBIAS NPN 125 MW SSMINI3
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Em existência
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BLF0910H9LS600U |
BLF0910H9LS600/SOT502/TRAY
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Em existência
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DTC363EKT146 |
TRANS PREBIAS NPN 200 MW SMT3
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Em existência
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BLF184XRGJ |
FET LDMOS 135V 23DB SOT1214C do RF
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Em existência
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DTC124EE |
SOT-523 NPN 0.15W 0.1A Transistores
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Em existência
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BLF8G10L-160.118 |
FET RF LDMOS 65V 19.7DB SOT502A
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Em existência
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DTA143ECA-TP |
Trans Prebias PNP 200 MW SOT23
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Em existência
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CGHV40100F |
RF MOSFET HEMT 50V 440193
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Em existência
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DDTC144EUAQ-13-F |
PREBIAS TRANSISTOR SOT323 T&R 10
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Em existência
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DTC144WKAT146 |
TRANS PREBIAS NPN 200 MW SMT3
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Em existência
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PTVA101K02EV-V1-R250 |
Ferramentas de desenvolvimento do RF
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Em existência
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UNR411E00A |
TRANS PREBIAS PNP 300 MW NS-B1
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Em existência
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NE5550279A-A |
FET RF 30V 900MHZ 79A
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Em existência
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DTA123EU3T106 |
DTA123EU3 é um transistor digital
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Em existência
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O MRFE6S9205HR5 |
FET RF 66V 880 MHz NI-880
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Em existência
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RN2109ACT(TPL3) |
TRANS PREBIAS PNP 50V 0,08A CST3
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Em existência
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PD55015S-E |
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10
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Em existência
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MRF1K50GNR5 |
MOSFET RF LDMOS 50 OM1230G
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Em existência
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PDTB113EK,115 |
Trans Prebias PNP 250 MW SMT3
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Em existência
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BLF542.112 |
FET RF NCHA 65V 16DB SOT171A
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Em existência
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