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Dispositivos de semicondutor discretos
| Imagem | parte # | Descrição | fabricante | Resíduos | RFQ | |
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![qualidade [#varpname#] fábrica](/images/load_icon.gif){kind=icon}
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SD2931 |
IC TRANS RF PWR HF/VHF/UHF
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Em existência
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DDTA114YLP-7 |
TRANS PREBIAS PNP 250 MW 3DFN
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Em existência
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CGHV60170D-GP4 |
O HEMT 50V do MOSFET do RF MORRE
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Em existência
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UNR52AVG0L |
TRANS PREBIAS NPN 150 MW SMINI3
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Em existência
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MRF7S18125BHSR5 |
FET RF 65V 1,93 GHz NI780
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Em existência
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UNR521DG0L |
TRANS PREBIAS NPN 150 MW SMINI3
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Em existência
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PTFA210601EV4R250FTMA1 |
IC FET RF LDMOS 60W H-36265-2
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Em existência
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BLF7G21L-160P, 118 |
FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A do RF
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Em existência
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NSBC114YF3T5G |
Trans Prebias NPN 50V SOT1123
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Em existência
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DTB743ZMT2L |
TRANS PREBIAS PNP 150 MW VMT3
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Em existência
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MRF9085LR5 |
IC MOSFET RF N-CHAN NI-780
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Em existência
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DTA144EEBTL |
TRANS PREBIAS PNP 150 MW EMT3F
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Em existência
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O número de veículos deve ser igual ou superior a: |
FET LDMOS 65V 18.3DB SOT1239B do RF
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Em existência
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DRC2523E0L |
TRANS PREBIAS NPN 200 MW MINI3
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Em existência
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PTRA082808NF-V1-R5 |
RF LDMOS FET 280W, 790 - 820 MHz
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Em existência
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DTC115EUBTL |
NPN, SOT-323FL, R1=R2 POTENCIAL
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Em existência
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BLA9H0912L-250U |
BLA9H0912L-250/SOT502/TRAY
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Em existência
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PDTC124EU,115 |
Trans Prebias NPN 50V SOT323
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Em existência
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MMUN2213LT1 |
Trans BRT NPN 100MA 50V SOT23
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Em existência
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BLF6G22-45.112 |
FET RF LDMOS 65V 18.5DB SOT608A
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Em existência
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UNR921FJ0L |
TRANS PREBIAS NPN 125 MW SSMINI3
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Em existência
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A AFT27S010NT1 |
FET RF NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W
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Em existência
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DDTC115GE-7 |
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
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Em existência
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BLF6H10LS-160.118 |
FET RF LDMOS 104V 20DB SOT467B
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Em existência
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UNR411800A |
TRANS PREBIAS PNP 300 MW NS-B1
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Em existência
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BG5130R E6327 |
MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
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Em existência
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UNR51A2G0L |
TRANS PREBIAS PNP 150 MW SMINI3
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Em existência
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MRF8P9040NBR1 |
FET RF 2CH 70V 960MHZ TO272-4
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Em existência
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CGH55030F1 |
HEMT 28V 440166 do MOSFET do RF
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Em existência
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DTC123JETL |
TRANS PREBIAS NPN 150 MW EMT3
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Em existência
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RN1416, LXHF |
Auto AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=4.7K
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Em existência
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BLF2425M9L30U |
FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1135A do RF
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Em existência
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BLF7G22L-130,112 |
FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A do RF
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Em existência
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DDTA144WE-7-F |
TRANS PREBIAS PNP 150 MW SOT523
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Em existência
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CGHV1F006S |
RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
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Em existência
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UNR9214G0L |
TRANS PREBIAS NPN 125 MW SSMINI3
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Em existência
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DTC144EET1 |
Transmissão NPN BIAS RES 50V SC-75
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Em existência
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MRFE6S9125NR1 |
FET RF 66V 880MHZ TO-270-4
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Em existência
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MUN2211JT1 |
TRANS PREBIAS NPN 2.7W SC59
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Em existência
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A partir de 1 de janeiro de 2016, a taxa de utilização do sistema de controlo de emissões de gases de efeito estufa deve ser fixada no nível de referência. |
FET RF 68V 2.16GHZ TO272-4
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Em existência
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DTA143ESATP |
TRANS PREBIAS PNP 300 MW SPT
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Em existência
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MRF137 |
FET RF 65V 400MHZ 211-07
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Em existência
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MRF9030GNR1 |
FET RF TO-270-2 GW
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Em existência
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RN1102MFV,L3XHF(CT |
Auto AEC-Q NPN Q1BSR=10K, Q1BER=
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Em existência
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BCR141T E6327 |
TRANS PREBIAS NPN 250 MW SC75
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Em existência
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PDTC123YTR |
PDTC123YT/SOT23/TO-236AB
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Em existência
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MPF102G |
JFET N-CH 25V 20MA TO92
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Em existência
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PDTA114EU,135 |
TRANS PREBIAS PNP 200 MW SOT323
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Em existência
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BF244C |
JFET N-CH 30V 50MA TO92
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Em existência
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BLS7G3135L-350P, 11 |
FET LDMOS 65V 10DB SOT539A do RF
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Em existência
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