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Dispositivos de semicondutor discretos
| Imagem | parte # | Descrição | fabricante | Resíduos | RFQ | |
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![qualidade [#varpname#] fábrica](/images/load_icon.gif){kind=icon}
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A2V09H400-04NR3 |
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
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Em existência
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FJX3001RTF |
TRANS PREBIAS NPN 200 MW SOT323
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Em existência
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BLF6G27-10.118 |
FET RF LDMOS 65V 19DB SOT975B
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Em existência
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BLA1011-300.112 |
FET RF LDMOS 65V 16DB SOT957A
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Em existência
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BCR142B6327HTLA1 |
TRANS PREBIAS NPN 200 MW SOT23-3
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Em existência
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ADTA114YUAQ-13 |
PREBIAS TRANSISTOR SOT323 T&R 10
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Em existência
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BLF8G38LS-75VJ |
FET LDMOS 65V 15.5DB SOT1239B do RF
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Em existência
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BF256C_J35Z |
JFET N-CH 30V 18MA TO92
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Em existência
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FJN4309RBU |
TRANS PREBIAS PNP 300 MW TO92-3
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Em existência
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MRF7S15100HSR3 |
FET RF 65V 1,51 GHz NI780S
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Em existência
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DTA144WM3T5G |
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
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Em existência
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BLF6G38-10G,118 |
FET RF LDMOS 65V 14DB SOT975C
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Em existência
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DTC144TE-TP |
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
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Em existência
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MRF6VP11KHR5 |
MOSFET RF LDMOS DL 50V NI1230S-4
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Em existência
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PDTB143XUX |
TRANS PREBIAS PNP 0,425 W
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Em existência
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BLF245B,112 |
RF FET 2 NC 65V 18DB SOT279A
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Em existência
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BCR199L3 E6327 |
TRANS PREBIAS PNP 250 MW TSLP-3
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Em existência
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MRF24301HSR5 |
250W AF17 2450MHZ NI780
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Em existência
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RN2301,LXHF |
AUTO AEC-Q PNP único, R1=4.7KO
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Em existência
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BLF6G27-100,112 |
FET LDMOS 65V SOT502A do RF
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Em existência
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DRC3144G0L |
TRANS PREBIAS NPN 100 MW SSSMINI3
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Em existência
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2N5952 |
JFET N-CH 30V 8MA TO92
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Em existência
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PDTD123YT/APGVL |
PDTD123YT/APGVL
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Em existência
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NE55410GR-T3-AZ |
FET RF 65V 2,14 GHz 16-HTSSOP
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Em existência
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RN2104, LXHF(CT |
Auto AEC-Q TR PNP Q1BSR=47KOHM,
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Em existência
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BLF8G09LS-270WJ |
FET RF LDMOS 65V 20DB SOT1244B
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Em existência
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DTA113ZEFRATL |
PNP DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101), em conformidade com o anexo I, parte B, do Regulamento (CE) n.o 7
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Em existência
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SD4933MR |
MOSFET N-CH M177 DO RF DO TRANSISTOR
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Em existência
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PDTA143ZQB-QZ |
PDTA143ZQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
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Em existência
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BLF6G20LS-140.112 |
FET RF LDMOS 65V 16DB SOT502B
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Em existência
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DTB113ESTP |
TRANS PREBIAS PNP 300 MW SPT
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Em existência
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PTFA180701E-V4-R0 |
MOSFET RF LDMOS 28V H-36265-2
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Em existência
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PDTA143EE,115 |
Trans Prebias PNP 150 MW SC75
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Em existência
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AFT05MS004NT1 |
FET RF 30V 520MHZ PLD
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Em existência
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UNR32AT00L |
TRANS PREBIAS NPN 100 MW SSSMINI3
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Em existência
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PTFA080551E-V4-R250 |
FET RF LDMOS 55W H-36265-2 de IC
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Em existência
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UNR321000L |
TRANS PREBIAS NPN 100 MW SSSMINI3
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Em existência
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BLF7G22LS-200.118 |
FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B do RF
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Em existência
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DTA143EETL |
TRANS PREBIAS PNP 150 MW EMT3
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Em existência
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BLA9H0912L-1200PU |
BLA9H0912L-1200P/SOT539/TRAY
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Em existência
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BCR196E6327HTSA1 |
Trans Prebias PNP 200 MW SOT23-3
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Em existência
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2N5486 |
JFET N-CH 25V 30MA TO92
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Em existência
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DTC124XEFRATL |
NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101), com uma frequência de saída superior a 100 Hz.
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Em existência
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LET9070CB |
MOSF RF N CH 80V 12A M243
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Em existência
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UNR5116G0L |
TRANS PREBIAS PNP 150 MW SMINI3
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Em existência
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BLF8G09LS-400PWJ |
FET RF LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B
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Em existência
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DTD113ZKT146 |
TRANS PREBIAS NPN 200 MW SMT3
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Em existência
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Métodos de ensaio |
FET RF 133V 512MHZ NI360L
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Em existência
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DTA124XET1G |
TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75
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Em existência
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MMRF1015GNR1 |
FET RF 68V 960 MHz
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Em existência
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