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Dispositivos de semicondutor discretos
| Imagem | parte # | Descrição | fabricante | Resíduos | RFQ | |
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![qualidade [#varpname#] fábrica](/images/load_icon.gif){kind=icon}
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BLF7G21L-160P, 118 |
FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A do RF
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Em existência
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PDTC143XQC-QZ |
PDTC143XQC-Q/SOT8009/DFN1412D-
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Em existência
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MRF9085LR5 |
IC MOSFET RF N-CHAN NI-780
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Em existência
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O número de veículos deve ser igual ou superior a: |
FET LDMOS 65V 18.3DB SOT1239B do RF
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Em existência
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DTA114TET1G |
TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75
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Em existência
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PTRA082808NF-V1-R5 |
RF LDMOS FET 280W, 790 - 820 MHz
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Em existência
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BCR183F E6327 |
Trans PREBIAS PNP 250 MW TSFP-3
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Em existência
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DTA123YETL |
TRANS PREBIAS PNP 150 MW EMT3
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Em existência
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BLA9H0912L-250U |
BLA9H0912L-250/SOT502/TRAY
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Em existência
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BLF6G22-45.112 |
FET RF LDMOS 65V 18.5DB SOT608A
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Em existência
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DDTC144WCA-7 |
TRANS PREBIAS NPN 200 MW SOT23-3
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Em existência
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FJNS3201RTA |
TRANS PREBIAS NPN 300 MW TO92S
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Em existência
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A AFT27S010NT1 |
FET RF NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W
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Em existência
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BLF6H10LS-160.118 |
FET RF LDMOS 104V 20DB SOT467B
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Em existência
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DTC115TKAT146 |
TRANS PREBIAS NPN 200 MW SMT3
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Em existência
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PDTC114EQAZ |
TRANS PREBIAS NPN 3DFN
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Em existência
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BG5130R E6327 |
MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
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Em existência
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FJN4309RTA |
TRANS PREBIAS PNP 300 MW TO92-3
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Em existência
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MRF8P9040NBR1 |
FET RF 2CH 70V 960MHZ TO272-4
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Em existência
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CGH55030F1 |
HEMT 28V 440166 do MOSFET do RF
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Em existência
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ADTC143TUAQ-13 |
PREBIAS TRANSISTOR SOT323 T&R 10
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Em existência
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DTC114ESATP |
TRANS PREBIAS NPN 300 MW SPT
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Em existência
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BLF2425M9L30U |
FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1135A do RF
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Em existência
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BLF7G22L-130,112 |
FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A do RF
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Em existência
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PDTC143ZT,215 |
TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
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Em existência
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CGHV1F006S |
RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
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Em existência
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MUN2213JT1G |
TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
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Em existência
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MRFE6S9125NR1 |
FET RF 66V 880MHZ TO-270-4
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Em existência
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FJN3315RTA |
TRANS PREBIAS NPN 300 MW TO92-3
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Em existência
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A partir de 1 de janeiro de 2016, a taxa de utilização do sistema de controlo de emissões de gases de efeito estufa deve ser fixada no nível de referência. |
FET RF 68V 2.16GHZ TO272-4
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Em existência
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RN1103ACT(TPL3) |
TRANS PREBIAS NPN 50V 0,08A CST3
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Em existência
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MRF137 |
FET RF 65V 400MHZ 211-07
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Em existência
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RN1106MFV,L3F(CT |
Trans Prebias NPN 50V 0,1A VESM
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Em existência
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MRF9030GNR1 |
FET RF TO-270-2 GW
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Em existência
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PDTA114TS,126 |
TRANS PREBIAS PNP 500 MW TO92-3
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Em existência
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SMMUN2215LT1G |
Trans Prebias NPN 50V SOT23-3
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Em existência
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MPF102G |
JFET N-CH 25V 20MA TO92
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Em existência
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PDTA123TE,115 |
Trans Prebias PNP 150 MW SC75
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Em existência
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BF244C |
JFET N-CH 30V 50MA TO92
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Em existência
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UNR51A5G0L |
TRANS PREBIAS PNP 150 MW SMINI3
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Em existência
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BLS7G3135L-350P, 11 |
FET LDMOS 65V 10DB SOT539A do RF
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Em existência
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MRF8P20161HSR3 |
FET RF 2CH 65V 1,92 GHz NI-780S
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Em existência
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UNRF2AN00A |
TRANS PREBIAS NPN 100 MW ML3-N2
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Em existência
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MRF136Y |
FET RF 65V 400 MHz 319B-02
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Em existência
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DTC143EETL |
TRANS PREBIAS NPN 150 MW EMT3
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Em existência
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MUN2136T1 |
Trans Prebias PNP 230 MW SC59
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Em existência
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MRF6S27085HR5 |
FET RF 68V 2,66 GHz NI-780
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Em existência
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STAC2942BW |
Transporte RF PWR N-CH 350W STAC244B
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Em existência
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FJNS3212RTA |
TRANS PREBIAS NPN 300 MW TO92S
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Em existência
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MMRF1304GNR1 |
FET RF 133V 512MHZ TO270-2
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Em existência
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