DDB2U30N08VRBOMA1
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Descrição:
IGBT MOD 600V 25A 83,5W
Categoria:
Dispositivos de semicondutor discretos
Em-estoque:
Em existência
Método do pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Método de transporte:
LCL, AIR, FCL, Express
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
25 A
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Em granel
Série:
-
Embalagem / Caixa:
Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.55V @ 15V, 20A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
600 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Modulo
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 125°C
Corrente - limite do colector (máximo):
1 mA
Tipo IGBT:
-
Potência - Máximo:
83,5 W
Input:
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
880 pF @ 25 V
Configuração:
3 Independente
Termistor NTC:
- Sim, sim.
Número do produto de base:
DDB2U30
Introdução
Módulo IGBT 3 Módulo de montagem independente de chassi de 600 V 25 A 83,5 W
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Resíduos:
In Stock
MOQ: