UNR422100A
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Descrição:
TRANS PREBIAS NPN 300 MW NS-B1
Categoria:
Dispositivos de semicondutor discretos
Em-estoque:
Em existência
Método do pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Método de transporte:
LCL, AIR, FCL, Express
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Transistores bipolares únicos, pré-b
Corrente - colector (Ic) (máximo):
500 miliampères
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo de transistor:
NPN - Pre-inclinado
Frequência - Transição:
200 MHz
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Pacote:
Corte a fita (os CT)
Fita & caixa (TB)
Série:
-
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:
250mV @ 5mA, 100mA
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
50 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
NS-B1
Resistência - Base (R1):
2,2 kOhms
Mfr:
Componentes eletrónicos da Panasonic
Resistência - Base do emissor (R2):
2,2 kOhms
Corrente - limite do colector (máximo):
1µA
Potência - Máximo:
300 mW
Embalagem / Caixa:
3-SIP
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce:
40 @ 100mA, 10V
Número do produto de base:
UNR422
Introdução
Transistores bipolares pré-biasados (BJT) NPN - pré-biasados 50 V 500 mA 200 MHz 300 mW através do buraco NS-B1
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Resíduos:
In Stock
MOQ: