NE3508M04-T2-A
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Descrição:
FET RF 4V 2 GHz 4-TSMM
Categoria:
Dispositivos de semicondutor discretos
Em-estoque:
Em existência
Método do pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Método de transporte:
LCL, AIR, FCL, Express
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF, MOSFET
Estatuto do produto:
Obsoletos
Voltagem nominal:
4 V
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Figura de ruído:
0.45 dB
Pacote de dispositivos do fornecedor:
F4TSMM, M04
Tensão - teste:
2 V
Mfr:
CEL
Frequência:
2 GHz
Ganho:
14 dB
Embalagem / Caixa:
SOT-343F
Atual - teste:
10 mA
Potência - saída:
18dBm
Tecnologia:
GaAs HJ-FET
Câmbio de corrente nominal (Amp):
120 mA
Introdução
RF Mosfet 2 V 10 mA 2GHz 14dB 18dBm F4TSMM, M04
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Resíduos:
In Stock
MOQ: