RF5L08350CB4
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Descrição:
400 W, 50 V, 0,4 a 1 GHz RF POW
Categoria:
Dispositivos de semicondutor discretos
Em-estoque:
Em existência
Método do pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Método de transporte:
LCL, AIR, FCL, Express
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF, MOSFET
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Voltagem nominal:
110 V
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Digi-Reel®
Série:
-
Figura de ruído:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
B4E
Tensão - teste:
50 V
Mfr:
STMicroelectrónica
Frequência:
1 GHz
Ganho:
19 dB
Embalagem / Caixa:
B4E
Atual - teste:
200 mA
Potência - saída:
400 W
Tecnologia:
ldmos
Câmbio de corrente nominal (Amp):
1µA
Introdução
RF Mosfet 50 V 200 mA 1 GHz 19 dB 400W B4E
Envie o RFQ
Resíduos:
In Stock
MOQ: