RN2116, LF(CT
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Transistores bipolares únicos, pré-b
Corrente - colector (Ic) (máximo):
100 MA
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de transistor:
PNP - Preconceito
Frequência - Transição:
200 MHz
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Digi-Reel®
Série:
-
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:
300 mV @ 250 μA, 5 mA
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
50 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SSM
Resistência - Base (R1):
4,7 kOhms
Mfr:
Toshiba Semicondutores e Armazenamento
Resistência - Base do emissor (R2):
10 kOhms
Corrente - limite do colector (máximo):
500nA
Potência - Máximo:
100 mW
Embalagem / Caixa:
SC-75, SOT-416
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce:
50 @ 10mA, 5V
Número do produto de base:
RN2116
Introdução
Transistores bipolares pré-biasados (BJT) PNP - SSM de montagem de superfície pré-biasado 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW
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Resíduos:
In Stock
MOQ: