UNR5211G0L
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Descrição:
TRANS PREBIAS NPN 150 MW SMINI3
Categoria:
Dispositivos de semicondutor discretos
Em-estoque:
Em existência
Método do pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Método de transporte:
LCL, AIR, FCL, Express
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Transistores bipolares únicos, pré-b
Corrente - colector (Ic) (máximo):
100 MA
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo de transistor:
NPN - Pre-inclinado
Frequência - Transição:
150 megahertz
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Digi-Reel®
Série:
-
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:
250 mV @ 300 μA, 10 mA
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
50 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SMini3-F2
Resistência - Base (R1):
10 kOhms
Mfr:
Componentes eletrónicos da Panasonic
Resistência - Base do emissor (R2):
10 kOhms
Corrente - limite do colector (máximo):
500nA
Potência - Máximo:
150 mW
Embalagem / Caixa:
SC-85
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce:
35 @ 5mA, 10V
Número do produto de base:
UNR5211
Introdução
Transistores bipolares pré-biasados (BJT) NPN - pré-biasados 50 V 100 mA 150 MHz 150 mW Monte de superfície SMini3-F2
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Resíduos:
In Stock
MOQ: