NPT1007B
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Descrição:
TRANSISTOR GAN DC-1200MHZ 200W
Categoria:
Dispositivos de semicondutor discretos
Em-estoque:
Em existência
Método do pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Método de transporte:
LCL, AIR, FCL, Express
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF, MOSFET
Estatuto do produto:
Obsoletos
Voltagem nominal:
100 V
Pacote:
Em granel
Série:
-
Figura de ruído:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
-
Tensão - teste:
28 V
Mfr:
Soluções Tecnológicas MACOM
Frequência:
900 MHz
Ganho:
180,3 dB
Embalagem / Caixa:
-
Atual - teste:
1,4 A
Potência - saída:
53dBm
Tecnologia:
HEMT
Câmbio de corrente nominal (Amp):
20.5A
Introdução
RF Mosfet 28 V 1.4 A 900MHz 18,3 dB 53 dBm
Envie o RFQ
Resíduos:
In Stock
MOQ: