APTGT75TDU120PG
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Descrição:
Módulo IGBT 1200V 100A 350W SP6P
Categoria:
Dispositivos de semicondutor discretos
Em-estoque:
Em existência
Método do pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Método de transporte:
LCL, AIR, FCL, Express
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
100 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Em granel
Série:
-
Embalagem / Caixa:
SP6
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 75A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SP6-P
Mfr:
Tecnologia de microchip
Temperatura de funcionamento:
-
Corrente - limite do colector (máximo):
250 μA
Tipo IGBT:
Paragem de campo de trincheiras
Potência - Máximo:
350 W
Input:
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
5.34 nF @ 25 V
Configuração:
Tripla, dupla - Fonte comum
Termistor NTC:
Não
Número do produto de base:
APTGT75
Introdução
Modulo IGBT Paragem de campo de trincheira Tripla, dupla - Fonte comum 1200 V 100 A 350 W Montador do chassi SP6-P
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Resíduos:
In Stock
MOQ: