NTE2369
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Transistores bipolares únicos, pré-b
Corrente - colector (Ic) (máximo):
100 MA
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de transistor:
NPN - Pre-inclinado
Frequência - Transição:
250 MHz
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Pacote:
Saco
Série:
-
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:
300 mV @ 250 μA, 5 mA
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
50 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-92S
Resistência - Base (R1):
4,7 kOhms
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
Resistência - Base do emissor (R2):
4,7 kOhms
Corrente - limite do colector (máximo):
500nA
Potência - Máximo:
300 mW
Embalagem / Caixa:
TO-226-3, corpo TO-92-3 curto
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce:
80 @ 10mA, 5V
Número do produto de base:
NTE23
Introdução
Transistores bipolares pré-biasados (BJT) NPN - pré-biasados 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW através do buraco TO-92S
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Resíduos:
In Stock
MOQ: