0912GN-500LV
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Descrição:
TRAN, GAN, 960-1215 MHZ, 500W, 5
Categoria:
Dispositivos de semicondutor discretos
Em-estoque:
Em existência
Método do pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Método de transporte:
LCL, AIR, FCL, Express
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF, MOSFET
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Voltagem nominal:
150 V
Pacote:
Em granel
Série:
-
Figura de ruído:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
55-KR
Tensão - teste:
50 V
Mfr:
Tecnologia de microchip
Frequência:
960 MHz ~ 1,215 GHz
Ganho:
16.5 dB
Embalagem / Caixa:
55-KR
Atual - teste:
100 MA
Potência - saída:
550 W
Tecnologia:
HEMT
Câmbio de corrente nominal (Amp):
-
Introdução
RF Mosfet 50 V 100 mA 960 MHz ~ 1,215 GHz 16,5 dB 550 W 55-KR
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Resíduos:
In Stock
MOQ: